[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710248982.X | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107452795A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 沈香谷;吕志伟;陈蕙祺;叶震亚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造半导体器件的方法中，形成第一和第二栅极结构。第一(第二)栅极结构包括第一(第二)栅电极层和设置在第一(第二)栅电极层的两侧面上的第一(第二)侧壁间隔件。凹进第一和第二栅电极层并且凹进第一和第二侧壁间隔件，从而分别在凹进的第一和第二栅电极层和第一和第二侧壁间隔件上方形成第一间隔和第二间隔。在第一和第二间隔中分别形成第一和第二保护层。在第一和第二保护层中分别形成第一和第二蚀刻停止层。第一间隔的在第一侧壁间隔件之上的第一深度不同于第一间隔的在第一栅电极层之上的第二深度。本发明实施例涉及用于制造半导体器件的方法，更具体地，涉及用于位于栅电极和源极/漏极区域上方的绝缘层的结构及制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅电极层和设置在所述第一栅电极层的两侧面上的第一侧壁间隔件，所述第二栅极结构包括第二栅电极层和设置在所述第二栅电极层的两侧面上的第二侧壁间隔件；在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间形成第一绝缘层；在形成所述第一绝缘层后，凹进所述第一栅电极层和所述第二栅电极层，并且凹进所述第一侧壁间隔件和所述第二侧壁间隔件，从而在凹进的所述第一栅电极层和凹进的所述第一侧壁间隔件上方形成第一间隔以及在凹进的所述第二栅电极层和凹进的所述第二侧壁间隔件上方形成第二间隔；在所述第一间隔中共形地形成第一保护层以及在所述第二间隔中共形地形成第二保护层；以及在所述第一保护层上形成第一蚀刻停止层以及在所述第二保护层上形成第二蚀刻停止层，其中，所述第一间隔的在所述第一侧壁间隔件之上的第一深度不同于所述第一间隔的在所述第一栅电极层之上的第二深度。
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