[发明专利]一种共享型的高密度随机存储器架构有效
| 申请号： | 201710244625.6 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN108735772B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由共享型CMOS场效应三极管制作的高密度随机存储器架构，包括：由第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和第五区域依次排布形成的串联式半导体薄膜，其中，第一区域、第三区域和第五区域具有第一掺杂类型，第二区域和第四区域具有第二掺杂类型；在串联式半导体薄膜的第一区域上方形成有第一漏极，在串联式半导体薄膜的第三区域上方形成有源极，而且在串联式半导体薄膜的第五区域上方形成有第二漏极；在串联式半导体薄膜的第二区域下方形成有第一栅极，在串联式半导体薄膜的第四区域下方形成有第二栅极；而且在串联式半导体薄膜与第一栅极和第二栅极之间形成有氧化物绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共享 高密度 随机 存储器 架构 | ||
【主权项】：
1.一种由共享型CMOS场效应三极管制作的高密度随机存储器架构，其特征在于包括：由第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和第五区域依次排布形成的串联式半导体薄膜，其中，第一区域、第三区域和第五区域具有第一掺杂类型，第二区域和第四区域具有第二掺杂类型；在串联式半导体薄膜的第一区域上方形成有第一漏极，在串联式半导体薄膜的第三区域上方形成有源极，而且在串联式半导体薄膜的第五区域上方形成有第二漏极；在串联式半导体薄膜的第二区域下方形成有第一栅极，在串联式半导体薄膜的第四区域下方形成有第二栅极；而且在串联式半导体薄膜与第一栅极和第二栅极之间形成有氧化物绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
