[发明专利]一种RIE黑硅的制作方法在审
申请号: | 201710243104.9 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN107039559A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 于满 | 申请(专利权)人: | 北京市合众创能光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 常州市夏成专利事务所(普通合伙)32233 | 代理人: | 沈毅 |
地址: | 102200 北京市昌*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光伏材料技术领域,尤其是一种RIE黑硅的制作方法。该制作方法使用如下配方对硅片进行处理BOEH2O2H2O=125,与硅片反应的温度为40℃,与硅片反应的时间为200秒,H2O,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒,HCl乙醇H2O=1118,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒,H2O,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒,HF,5%,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒,H2O,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒,本发明能增加对光子的吸收,提高转换效率。同时反应溶液易于集中处理,便于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 rie 制作方法 | ||
【主权项】:
一种RIE黑硅的制作方法,其特征是,使用如下配方对硅片进行处理,所有配比均为体积比:BOE:H2O2:H2O=1:2:5,与硅片反应的温度为40℃,与硅片反应的时间为200秒,H2O,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒,HCl:乙醇:H2O=1:1:18,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒,H2O,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒,HF,5%,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒,H2O,与硅片反应的温度为室温,与硅片反应的时间为180秒。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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