[发明专利]一种压阻式的微机械压力传感器芯片及其制备方法有效
申请号: | 201710233941.3 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN107084807B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 焦文龙 | 申请(专利权)人: | 华润微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 401331 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及压力传感器,尤其涉及一种压阻式的微机械压力传感器芯片及其制备方法,所形成的微机械压力传感器芯片包括:第一基底,多个第一垂通孔间隔分布在第一基底的中部形成一第一导压孔阵列;两个绝缘结构,分别形成于第一基底未分布有第一垂直通孔的两侧,两个绝缘结构之间形成一第一空腔;器件层,形成于两个绝缘结构的上表面,器件层的顶部形成有两个间隔分布的轻掺杂区;每个轻掺杂区的两侧分别形成有两个重掺杂区;钝化层,覆盖于器件层的上表面;钝化层包括两个接触孔,每个接触孔分别用于将最靠外侧的重掺杂区暴露;焊盘;具有阵列形式的导压孔,优化微机械压力传感器膜片与被测量介质的接触通道,具有较高可靠性和使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 压阻式 微机 压力传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种压阻式的微机械压力传感器芯片,其特征在于,包括:第一基底,包括多个第一垂直通孔,多个所述第一垂通孔间隔分布在所述第一基底的中部形成一第一导压孔阵列;两个绝缘结构,分别形成于所述第一基底未分布有所述第一垂直通孔的两侧,两个所述绝缘结构之间形成一第一空腔;器件层,形成于两个所述绝缘结构的上表面,所述器件层的顶部形成有两个间隔分布的轻掺杂区;每个所述轻掺杂区的两侧分别形成有两个重掺杂区;钝化层,覆盖于所述器件层的上表面;所述钝化层包括两个接触孔,每个所述接触孔分别用于将最靠外侧的所述重掺杂区暴露;两个焊盘,每个所述焊盘形成于一个所述接触孔内部以及边缘的所述钝化层的上表面;第二基底,形成于所述钝化层的上表面,包括一第二空腔,所述第二空腔形成于所述第二基底面向所述钝化层的一面。
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