[发明专利]全背接触太阳能电池的制备方法和电池及其组件、系统

摘要

本发明涉及一种全背接触太阳能电池的制备方法和电池及其组件、系统。本发明的制备方法主要包括以下步骤对N型太阳能电池基体的前表面作制绒处理；放入工业用扩散炉中对制绒面进行硼扩散；背面用激光或腐蚀浆料或阻挡层制备出图案，作为掺杂区域；在硅片背面的TMAH刻蚀区域使用离子注入机进行磷原子注入并退火处理；去除正面和背面的氧化层；在硅片的正面和背面均镀上氮化硅膜层，制备分段的金属电极，与基底形成欧姆接触；将金属丝分别铺设在P区和N区的金属电极上，切除电池边缘多余的金属丝得到太阳能电池。本发明的有益效果是降低了含银副栅带来的表面复合又减少了金属化工程序的生产成本。

主权项

一种全背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、选择N型太阳能电池基体，并对N型太阳能电池基体的前表面作制绒处理，N型太阳能电池基体的电阻率为0.5～15Ω·cm；(2)、将步骤(1)处理后的N型太阳能电池基体放入工业用扩散炉中对制绒面进行硼扩散，扩散温度为920‑1000℃，时间为60‑180分钟；硼扩散后的方阻值为40‑100Ω/sqr；(3)、在步骤(2)处理后的N型太阳能电池基体的背面制备出图案，作为P型掺杂或N型掺杂区域，其它区域为N型或P型掺杂区域；(4)、在步骤(3)处理后的N型太阳能电池基体背面的TMAH刻蚀区域进行磷原子注入并退火处理；退火的峰值温度为700～950℃，退火时间为30～200min；(5)、将步骤(4)处理后的N型太阳能电池基体放入清洗机中，去除正面和背面的氧化层；(6)、将步骤(5)处理后的N型太阳能电池基体放入PECVD设备中，在正面和背面均镀上氮化硅膜层；(7)、在镀膜后的电池背表面的P区和N区制备分段的金属电极，与基底形成欧姆接触；(8)、保留整片电池，或者将电池切片再进行焊接；(9)、将金属丝分别铺设在P区和N区的金属电极上，然后进行加热，使得金属丝和电极形成欧姆接触；(10)、切除电池边缘多余的金属丝，一侧间隔地切断N区的金属丝，另一侧间隔地切断P区的金属丝，得到太阳能电池。