[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710228370.4 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108695375A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括用于形成核心器件的核心区以及用于形成周边器件的周边区；通过沉积工艺在基底上形成栅氧化层；在栅氧化层上形成伪栅电极层；在伪栅电极层露出的基底上形成层间介质层，层间介质层露出伪栅电极层顶部；去除伪栅电极层；去除核心区栅氧化层。在半导体结构的制造中，通常在形成栅氧化层之前对基底进行阈值电压离子注入工艺，且形成栅氧化层的工艺通常为热氧化工艺，本发明通过沉积工艺在基底上形成栅氧化层，相比热氧化工艺，沉积工艺的工艺温度较低，即热预算较少，因此可以减少阈值电压离子注入工艺后注入离子的流失，从而可以提高阈值电压对阈值电压离子注入工艺的敏感度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅氧化层 基底 伪栅电极层 阈值电压 离子注入工艺 半导体结构 沉积 热氧化工艺 核心区 去除 层间介质层 核心器件 周边器件 注入离子 介质层 敏感度 周边区 即热 预算 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成核心器件的核心区、以及用于形成周边器件的周边区；通过沉积工艺，在所述基底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成伪栅电极层；在所述伪栅电极层露出的基底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅电极层顶部；去除所述伪栅电极层；去除所述伪栅电极层后，去除所述核心区的栅氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710228370.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双极型晶体管及其形成方法
- 下一篇：一种薄膜晶体管及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
