[发明专利]用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法

摘要

本发明涉及用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法，其中相对于该晶片堆叠可移动的发送器，其用于发送电磁波或超声波形式的信号，与该发送器一起相对于该晶片堆叠可移动的接收器，其用于接收由该发送器所发送的并在该晶片堆叠处所反射的信号，以及用于分析由该接收器所接收的信号的分析单元，其中由该分析单元能区分由该晶片堆叠的层之间的至少两个过渡所反射的信号，并能确定其相互之间的和/或到参考平面的间距，并且其中能够检测该晶片堆叠和/或该测量装置平行于该参考平面的移动，并从而能够检测沿该参考平面的每个测量位置的位置。

主权项

1.用于在分布于晶片堆叠（8）上的多个测量位置处测量和/或检测晶片堆叠（8）的一个或多个层的层厚度和/或晶格缺陷的测量装置，具有以下的特征：‑相对于该晶片堆叠（8）可移动的发送器（9），其用于发送电磁波形式的信号，‑与该发送器（9）一起相对于该晶片堆叠（8）可移动的接收器（10），其用于接收由该发送器（9）所发送的并在该晶片堆叠（8）处所反射的信号，以及‑用于分析由该接收器所接收的信号的分析单元，其中由该分析单元能区分由该晶片堆叠（8）的层之间的至少两个过渡（15，18）所反射的信号，并能确定其相互之间的和/或到参考平面（R）的间距，并且其中能够检测该晶片堆叠（8）和/或该测量装置（11）平行于该参考平面（R）的移动，并从而能够检测沿该参考平面（R）的每个测量位置的位置。