[发明专利]基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片

摘要

一种基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片，包括一衬底；形成于衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的底部多孔DBR层；形成于底部多孔DBR层上的n型GaN层，n型GaN层的一侧向下形成有台面，另一侧为凸起；形成于n型GaN层上的有源区；形成于有源区上的p型GaN层；一侧壁钝化层，形成于所述p型GaN层部分的上表面及凸起的n型GaN层、有源区和p型GaN层的侧壁，该p型GaN层上表面的侧壁钝化层中间有一窗口；形成于侧壁钝化层及其窗口处p型GaN层上的透明导电层；形成于n型GaN层的台面上的n电极；制作在侧壁钝化层上表面周围的p电极；形成于透明导电层及p电极上的顶部介质DBR层。

主权项

一种基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片，包括：一衬底；一缓冲层，形成于所述衬底的上表面；一底部多孔DBR层，形成于所述缓冲层的上表面；一n型GaN层，形成于所述底部多孔DBR层的上表面，所述n型GaN层的一侧向下形成有台面，另一侧为凸起，所述台面的深度小于所述n型GaN层的厚度；一有源区，形成于所述n型GaN层的上表面；一p型GaN层，其形成于所述有源区的上表面；一侧壁钝化层，为绝缘介质，形成于所述p型GaN层部分的上表面及凸起的n型GaN层、有源区和p型GaN层的侧壁，并覆盖部分n型台面的表面，该p型GaN层上表面的侧壁钝化层中间有一窗口；一透明导电层，形成于所述侧壁钝化层及其窗口处p型GaN层的上表面；一n电极，形成于n型GaN层的台面上；一p电极，其制作在侧壁钝化层上表面的周围，并覆盖部分透明导电层；一顶部介质DBR层，形成于所述透明导电层及p电极的上表面。