[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710217697.1 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN108695158B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成沟槽，所述沟槽用于填充源/漏掺杂层以构成源/漏极；执行离子注入，以在所述沟槽底部的衬底中形成包含有空隙的离子注入层；在所述沟槽中形成源/漏掺杂层以构成源/漏极。根据本发明形成的半导体器件，在形成构成源漏极的源/漏掺杂层之前，形成包含有空隙的离子注入层，一方面在形成源/漏极的过程中所述空隙被填充，形成与源/漏掺杂层之间具有掺杂元素的浓度梯度的扩散缓冲层，减少了源漏结的漏电流和PN结反向漏电流，另一方面可增强源/漏极掺杂元素的暂态加速扩散(TED)，进一步减少PN结反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成沟槽，所述沟槽用于填充源/漏掺杂层以构成源/漏极；执行离子注入，以在所述沟槽底部的衬底中形成包含有空隙的离子注入层；在所述沟槽中填充源/漏掺杂层以形成源/漏极，所述源/漏掺杂层中的掺杂元素扩散至所述离子注入层的所述空隙内，以在所述沟槽的底部形成扩散缓冲层，所述掺杂元素在所述源/漏掺杂层、扩散缓冲层中的浓度呈梯度变化；或者，在所述执行离子注入之后、所述填充源/漏掺杂层之前，在所述沟槽中形成掺杂外延层，所述掺杂外延层含有所述掺杂元素，所述掺杂外延层中的掺杂元素扩散至所述离子注入层的所述空隙内，以在所述沟槽的底部形成扩散缓冲层，所述掺杂元素在所述源/漏掺杂层、掺杂外延层、扩散缓冲层中的浓度呈梯度变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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