[发明专利]一种超结半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体功率器件，包括在器件的特征层和导电的接触层之间的耐压层，其特征在于所述耐压层包括至少一个第一导电类型的第一种半导体区和至少一个第二导电类型的第二种半导体区，所述第一种半导体区含有第一种半导体材料，所述第二种半导体区含有第二种半导体材料，所述第二种半导体材料具有比所述第一种半导体材料更高的禁带宽度和更高的临界击穿电场。本发明的耐压层是一种新的超结耐压层。与传统超结耐压层相比，本发明的耐压层可提高击穿电压抵抗电荷非平衡影响的能力，还可获得更优的比导通电阻与击穿电压的关系。

主权项

1.一种半导体器件，包括在器件的特征层和导电的接触层之间的耐压层，其特征在于：所述耐压层包括至少一个第一导电类型的第一种半导体区和至少一个第二导电类型的第二种半导体区；所述耐压层中的第一导电类型的第一种半导体区和所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区均与所述特征层和所述接触层相互接触，所述耐压层中的第一导电类型的第一种半导体区和所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区相互接触，其形成的接触面垂直或近似垂直于所述特征层和所述接触层；所述第一种半导体区含有第一种半导体材料，所述第二种半导体区含有第二种半导体材料，所述第二种半导体材料具有比所述第一种半导体材料更高的禁带宽度和更高的临界击穿电场；所述特征层是含有重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区或/和含有重掺杂的第二导电类型的第二种半导体区构成，所述特征层还与金属直接接触形成欧姆接触；所述接触层是含有重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区构成；或是含有在一个重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区之上有一个第一种导电类型的第一种半导体区构成，所述重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区之上的第一种导电类型的第一种半导体区与所述耐压层相互接触；或是含有在一个重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上有一个第一种导电类型的第一种半导体区构成，所述重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上的第一种导电类型的第一种半导体区与所述耐压层相互接触；或是含有在一个重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上有一个重掺杂的第一种导电类型的第一种半导体区构成，所述重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上的重掺杂的第一种导电类型的第一种半导体区与所述耐压层相互接触；或是含有在一个重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上有一个重掺杂的第一种导电类型的第一种半导体区之上还有一个第一种导电类型的第一种半导体区构成，所述重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上的重掺杂的第一种导电类型的第一种半导体区之上的第一种导电类型的第一种半导体区与所述耐压层相互接触；所述接触层还与金属直接接触形成欧姆接触；所述耐压层中至少一个第一导电类型的第一种半导体区和至少一个第二导电类型的第二种半导体区构成了一个元胞，许多所述的元胞紧密排列构成了所述耐压层，所述元胞的形状可以是条形、方形或六角形等形状，所述元胞的排列方式可以是条形排列、方形排列或六角形排列等排列方式。