[发明专利]一种超结半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括在器件的特征层和导电的接触层之间的耐压层，其特征在于：

所述耐压层包括至少一个第一导电类型的第一种半导体区和至少一个第二导电类型的第二种半导体区；

所述耐压层中的第一导电类型的第一种半导体区和所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区均与所述特征层和所述接触层相互接触，所述耐压层中的第一导电类型的第一种半导体区和所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区相互接触，其形成的接触面垂直或近似垂直于所述特征层和所述接触层；所述第一种半导体区含有第一种半导体材料，所述第二种半导体区含有第二种半导体材料，所述第二种半导体材料具有比所述第一种半导体材料更高的禁带宽度和更高的临界击穿电场；

所述特征层是含有重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区或/和含有重掺杂的第二导电类型的第二种半导体区构成，所述特征层还与金属直接接触形成欧姆接触；

所述接触层是含有重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区构成；或是含有在一个重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区之上有一个第一导电类型的第一种半导体区构成，所述重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区之上的第一导电类型的第一种半导体区与所述耐压层相互接触；或是含有在一个重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上有一个第一导电类型的第一种半导体区构成，所述重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上的第一导电类型的第一种半导体区与所述耐压层相互接触；或是含有在一个重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上有一个重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区构成，所述重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上的重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区与所述耐压层相互接触；或是含有在一个重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上有一个重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区之上还有一个第一导电类型的第一种半导体区构成，所述重掺杂的第二导电类型的第一种半导体区之上的重掺杂的第一导电类型的第一种半导体区之上的第一导电类型的第一种半导体区与所述耐压层相互接触；所述接触层还与金属直接接触形成欧姆接触；

所述耐压层中至少一个第一导电类型的第一种半导体区和至少一个第二导电类型的第二种半导体区构成了一个元胞，多个所述的元胞紧密排列构成了所述耐压层，所述元胞的形状是条形、方形或六角形形状，所述元胞的排列方式是条形排列、方形排列或六角形排列方式。

2.如权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述耐压层中的第一导电类型的第一种半导体区中的有效施主总电荷与所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区中的有效受主总电荷相对差别不超过80％。

3.如权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述耐压层中的第一导电类型的第一种半导体区的上表面有部分或全部与金属直接接触形成肖特基接触。

4.如权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区与所述耐压层中的第一导电类型的第一种半导体区相互接触，此接触是直接接触或是通过一个薄的介质区间接接触，所述薄的介质区是由一种介质材料构成或是由多种介质材料构成；所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区与所述接触层相互接触，此接触是直接接触或是通过一个薄的介质区间接接触，所述薄的介质区是由一种介质材料构成或是由多种介质材料构成。

5.如权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区与所述耐压层中的第一导电类型的第一种半导体区相互接触，此接触是直接接触或是通过一个薄的第二导电类型的第一种半导体区间接接触；所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区与所述接触层相互接触，此接触是直接接触或是通过一个薄的第二导电类型的第一种半导体区间接接触；所述耐压层中的第二导电类型的第二种半导体区和所述薄的第二导电类型的第一种半导体区的有效受主总电荷与所述耐压层中的第一导电类型的第一种半导体区中的有效施主总电荷相对差别不超过80％。