[发明专利]一种基于压电膜的钙钛矿发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710210434.8 申请日: 2017-03-31
公开(公告)号: CN106910838B 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 李宗涛;汤勇;余彬海;颜才满;陆龙生;李家声 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L41/18;H01L51/56
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于压电膜的钙钛矿发光器件及其制备方法。该发光器件由上至下,依次包括电极(10)、空穴传输层(11)、压电膜(12)和ITO导电玻璃(13);在整体发光器件的侧面设置有电源模块(14);所述电源模块(14)分别与电极(10)和ITO导电玻璃(13)连接。该基于压电膜的钙钛矿发光器件的制备步骤包括:(1)ITO导电玻璃的清洗处理;(2)压电膜的制备;(3)压电膜的极化处理;(4)空穴传输层及电极的制备;(5)组装电源回路。本发明的发光器件直接实现了机械能和光能之间的转化,并且钙钛矿量子点发光性能优异,显色指数高,在指示灯、光电传感器、压力传感器等领域中具有重要的实际意义。
搜索关键词: 一种 基于 压电 钙钛矿 发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于压电膜的钙钛矿发光器件,其特征在于,由上至下,依次包括电极(10)、空穴传输层(11)、压电膜(12)和ITO导电玻璃(13);在整体发光器件的的侧面设置有电源模块(14);所述电源模块(14)分别与电极(10)和ITO导电玻璃(13)连接;所述电极(10)的厚度为50~100nm;所述电极(10)的材料包括铝、铜、钛或镍;所述空穴传输层(11)的厚度为50~150nm;所述空穴传输层(11)的材料包括PEDOT/PSS、NPB、PVK、TPBi、PolyTPD、TAPC、CuSCN和CuI中的一种以上;所述压电膜(12)的厚度为100‑500nm;所述压电膜(12)具有压电效应,压电应变常数d33为25‑45pC/N;所述压电膜(12)的材料包括钙钛矿量子点材料和压电材料;所述ITO导电玻璃(13)的厚度为100~500nm。
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