[发明专利]以纳米二氧化硅为添加物制备导电无机物的方法在审
| 申请号： | 201710208860.8 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106971791A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 赵慧军;方春 | 申请（专利权）人： | 合肥悦兰信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种以纳米二氧化硅为添加物制备导电无机物的方法，涉及新材料领域，以乙酸银为基材，以纳米二氧化硅作为添加剂，使乙酸银表面吸附纳米二氧化硅，再经过高温煅烧，使乙酸银分解和碳化，即可制备出导电的无机物；所述乙酸银与纳米二氧化硅的质量比为856。本发明以纳米二氧化硅为添加物制备导电无机物的方法简单易行，可使传统二氧化硅粉体材料改性为具有导电性能的无机物；可用作防静电剂、防静电包装材料、导电填料等，还可用于制备小电流塑料导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 二氧化硅 添加物 制备 导电 无机物 方法 | ||
【主权项】：
一种以纳米二氧化硅为添加物制备导电无机物的方法，其特征在于：以乙酸银为基材，以纳米二氧化硅作为添加剂，使乙酸银表面吸附纳米二氧化硅，再经过高温煅烧，使乙酸银分解和碳化，即可制备出导电的无机物；所述乙酸银与纳米二氧化硅的质量比为85：6。
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