[发明专利]微波氢化热处理方法在审
| 申请号： | 201710206175.1 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107275207A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 金熙昶;赵元珠 | 申请（专利权）人： | CM科技21株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙)11641 | 代理人： | 李柱天,陆华 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了在显示器件薄膜晶体管(TFT)制作工艺中进行的，一种低温、低电力微波氢化热处理方法。所述微波氢化热处理方法包括把需要氢化热处理的器件加载到腔室的加载阶段，及加载上述器件的上述腔室内照射ISM频段(Industrial Scientific Medical band)频率微波的热处理阶段。为电子迁移率很大的氧化物半导体TFT或LTPS，利用微波在低温进行氢化热处理，通过微波把集成能量传送到器件中，使得原有只在高温进行的氢原子重组在低温也得到实现。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 氢化 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种微波氢化热处理方法，其特征在于，由加载需要氢化热处理的器件到第1腔室的加载阶段；且，在加载上述器件的上述第1腔室内照射具有ISM频段频率微波的第1热处理阶段；进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
