[发明专利]微波氢化热处理方法

权利要求书

1.一种微波氢化热处理方法，其特征在于，由加载需要氢化热处理的器件到第1腔室的加载阶段；且，在加载上述器件的上述第1腔室内照射具有ISM频段频率微波的第1热处理阶段；进行。

2.根据权利要求1所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第1热处理阶段是，把属于上述ISM频段的2.45GHz和5.8GHz、9.5GHz频率的微波中某一种微波照射到上述第1腔室内。

3.根据权利要求1所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第1热处理阶段是，在把上述第1腔室内部设置为常压和常温后，照射微波。

4.根据权利要求1所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第1热处理阶段是，包括照射上述微波的热处理时间和暂停上述微波照射的停顿时的工艺时间内进行。

5.根据权利要求4所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述停顿时间设置成比上述热处理时间短。

6.根据权利要求1所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第1热处理阶段是，把上述微波隔一定时间，分时多次照射。

7.根据权利要求1所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第1热处理阶段是，把具有不同频率的微波分时反复照射。

8.根据权利要求7所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第1热处理阶段是，把上述ISM频段不同频率设置为第1频率和第2频率的状态下，由上述第1频率微波照射到上述第1腔室内的第1微波照射阶段，和把上述第2频率微波照射到上述第1腔室内的第2微波照射阶段进行。

9.根据权利要求8所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第1频率相对于上述第2频率低。

10.根据权利要求8所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第1频率相对于上述第2频率高。

11.根据权利要求8所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，设置把上述第1频率微波照射到第1腔室内的第1热处理时间和把上述第2频率微波照射到上述第1腔室内的第2热处理时间，上述第1热处理时间与上述第2热处理时间各不相同。

12.根据权利要求11所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，当上述第1频率比上述第2频率大时，设置上述第1热处理时间比上述第2热处理时间短；当上述第1频率比上述第2频率小时，设置上述第1热处理时间比上述第2热处理时间长。

13.根据权利要求8所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，在上述第1微波照射阶段与上述第2微波照射阶段间设置暂停上述第1频率微波的停顿时间。

14.根据权利要求13所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述停顿时间设置为比上述第1频率微波照射到第1腔室内的第1热处理时间或把第2频率微波照射到第1腔室内的第2热处理时间相对短。

15.根据权利要求1所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，经过上述第1热处理阶段后，还包括进行：把上述器件在第1时间内传送到第2腔室的加载阶段，在加载上述器件的第2腔室内分时照射与上述第1热处理阶段具有不同频率的ISM频段微波的第2热处理阶段。

16.根据权利要求15所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第2热处理阶段，照射比上述第1热处理阶段中使用的微波频率相对低的微波。

17.根据权利要求15所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述第1腔室和上述第2腔室布置成一条线型，还包括：通过上述第1腔室和第2腔室之间设置的遮蔽微波传送道，把经上述第1热处理的器件在第1时间内传送到上述第2腔室内的传送阶段。

18.根据权利要求17所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，传送上述器件的上述第1工艺时间设置成比进行上述第1热处理阶段的第1工艺时间或进行上述第2热处理阶段的第2工艺时间相对短。

19.根据权利要求18所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，设置上述第1工艺时间比上述第2工艺时间长。

20.根据权利要求1所述的微波氢化热处理方法，其特征在于，上述器件以随着介电常数吸收全部或部分上述微波的氧化物半导体器件或硅半导体器件。