[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部部分侧壁，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；形成隔离结构之后，在所述鳍部和隔离结构上形成牺牲层，所述牺牲层中具有第一开口，所述第一开口底部暴露出所述鳍部部分顶部表面，且所述第一开口在垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述牺牲层；以所述牺牲层为掩膜对所述鳍部进行刻蚀，在所述鳍部中形成第二开口；在所述第二开口中形成隔离层；形成隔离层之后，去除所述牺牲层。隔离层材料能够充分填充所述第二开口，从而能够提高形成的隔离层的隔离性能，进而改善所形成半导体结构性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部部分侧壁，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；形成隔离结构之后，在所述鳍部和隔离结构上形成牺牲层，所述牺牲层中具有第一开口，所述第一开口底部暴露出所述鳍部部分顶部表面，在垂直于所述鳍部延伸方向且平行于衬底表面的方向上，所述第一开口贯穿位于所述鳍部顶部上的牺牲层；以所述牺牲层为掩膜对所述鳍部进行刻蚀，在所述鳍部中形成第二开口，所述第二开口底部表面低于所述隔离结构表面；在所述第二开口中形成隔离层；形成隔离层之后，去除所述牺牲层。