[发明专利]有机EL显示面板及其制作方法有效
| 申请号： | 201710201789.0 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107275507B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 堀河敬司 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本有机雷特显示器 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张永明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种有机EL显示面板及其制作方法，能够在实现覆盖性和密封性的并存同时，提高高温潮湿状况下耐用性。氮化硅膜(108CVD2)介于氮化硅膜(108CVD1)和氮化硅膜(108CVD3)之间，每单位体积的氨含量高于氮化硅膜(108CVD1)以及氮化硅膜(108CVD3)的氨含量。氮化硅膜(108CVD2)在增加作为原材料的硅烷、氨的气体量的同时提高压力的成膜条件下，通过CVD法成膜。由于在该成膜条件下成膜，氮化硅膜(108CVD2)的膜结构成为存在较多脱漏的粗糙的结构。另一方面，覆盖异物时的形状变化不是急剧的而是连续性的，因此不产生氮化硅膜(108CVD1)以及氮化硅膜(108CVD3)的龟裂而能够实现覆盖性和密封性的并存。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 el 显示 面板 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机EL显示面板，包括：多个显示元件，形成在基板上；第一密封层，配置于所述多个显示元件上；缓冲层，覆盖所述第一密封层；以及第二密封层，覆盖所述缓冲层，所述第一密封层、所述缓冲层以及所述第二密封层是氮化硅膜，作为所述缓冲层的氮化硅膜中的氨的气体脱吸量的峰值高于作为第一密封层以及第二密封层的氮化硅膜中的氨的气体脱吸量的峰值的100倍且低于1000倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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