[发明专利]有机EL显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201710201789.0 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN107275507B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 堀河敬司 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本有机雷特显示器 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张永明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种有机EL显示面板,包括:
多个显示元件,形成在基板上;
第一密封层,配置于所述多个显示元件上;
缓冲层,覆盖所述第一密封层;以及
第二密封层,覆盖所述缓冲层,
所述第一密封层、所述缓冲层以及所述第二密封层是氮化硅膜,
作为所述缓冲层的氮化硅膜中的氨的气体脱吸量的峰值高于作为第一密封层以及第二密封层的氮化硅膜中的氨的气体脱吸量的峰值的100倍且低于1000倍。
2.根据权利要求1所述的有机EL显示面板,其中,
所述缓冲层具有所述第一密封层以及所述第二密封层的3倍以上且50倍以下的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL显示面板,其中,
所述缓冲层的厚度为2μm以上且10μm以下。
4.一种有机EL显示面板的制作方法,其中,
在基板上配置多个显示元件,
通过第一密封层密封所述多个显示元件,
通过缓冲层覆盖所述第一密封层,
通过第二密封层覆盖所述缓冲层,
所述第一密封层、所述缓冲层、所述第二密封层是氮化硅膜,
所述氮化硅膜的成膜通过以氨气为原料的化学气相沉积法进行,
将进行所述缓冲层的成膜时的氨气的气体量设为高于进行第一密封层以及第二密封层的成膜时的氨气的气体量的4倍且低于20倍的值,
其中,所述化学气相沉积法的原料还包括硅烷气,进行所述缓冲层的成膜时的硅烷气的气体量设为高于进行第一密封层以及第二密封层的成膜时的硅烷气的气体量的2倍且低于6倍的值,
其中,在进行缓冲层的成膜时用于使氨气、硅烷气、氮气反应的压力设为高于在进行第一密封层以及第二密封层的成膜时氨气、硅烷气、氮气反应时的压力的2倍且低于5倍的值。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其中,
所述化学气相沉积法的原料还包括氮气,进行所述缓冲层的成膜时的氮气的气体量与进行第一密封层以及第二密封层的成膜时的氮气的气体量相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本有机雷特显示器,未经株式会社日本有机雷特显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择