[发明专利]有机EL显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201710201789.0 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN107275507B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 堀河敬司 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本有机雷特显示器 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张永明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 显示 面板 及其 制作方法 | ||
一种有机EL显示面板及其制作方法,能够在实现覆盖性和密封性的并存同时,提高高温潮湿状况下耐用性。氮化硅膜(108CVD2)介于氮化硅膜(108CVD1)和氮化硅膜(108CVD3)之间,每单位体积的氨含量高于氮化硅膜(108CVD1)以及氮化硅膜(108CVD3)的氨含量。氮化硅膜(108CVD2)在增加作为原材料的硅烷、氨的气体量的同时提高压力的成膜条件下,通过CVD法成膜。由于在该成膜条件下成膜,氮化硅膜(108CVD2)的膜结构成为存在较多脱漏的粗糙的结构。另一方面,覆盖异物时的形状变化不是急剧的而是连续性的,因此不产生氮化硅膜(108CVD1)以及氮化硅膜(108CVD3)的龟裂而能够实现覆盖性和密封性的并存。
技术领域
本发明涉及有机EL显示面板及其制作方法,尤其涉及密封膜的耐用性改善。
背景技术
在有机EL显示面板中,设置有以保护呈二维状配置的多个有机EL显示元件的整体不受水分、气体等的劣化为目的的密封膜。现有的密封膜通过氮化硅(SiN)等形成,另外,作为其形成方法,使用等离子体CVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition:等离子体增强化学气相沉积)等。氮化硅膜的成膜时,若提高膜密度增强密封性,则会导致对于密封膜的折曲的耐性极小,在覆盖部位存在台阶隔壁、异物的情况下的覆盖性降低。因此,专利文献1的密封保护膜试图通过高密度膜-低密度膜-高密度膜的三层结构实现密封性-台阶覆盖性的并存。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开2007/066719号公报
专利文献2:日本特开2000-223264号公报
专利文献3:日本特开2014-203707号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是,专利文献1中记载的低密度膜与高密度膜相比较,膜密度还停留在较低程度的水平。在膜密度较低这样的水平下,无法说具有内包各种形状的台阶隔壁、异物的变形容许性。
本发明的目的在于提供能够覆盖各种形状的异物并且以较高密封性保护多个显示元件的有机EL显示面板。
解决技术问题的方法
本发明的一方式提供一种有机EL显示面板,其包括:多个显示元件,形成在基板上;第一密封层,配置于所述多个显示元件上;缓冲层,覆盖所述第一密封层;以及第二密封层,覆盖所述缓冲层,所述第一密封层、所述缓冲层以及所述第二密封层是氮化硅膜,作为所述缓冲层的氮化硅膜中的氨的气体脱吸量的峰值高于作为第一密封层以及第二密封层的氮化硅膜中的氨的气体脱吸量的峰值的100倍且低于1000倍。
本发明的另一方式提供一种有机EL显示面板的制作方法,其中,在基板上配置多个显示元件,通过第一密封层密封所述多个显示元件,通过缓冲层覆盖所述第一密封层,通过第二密封层覆盖所述缓冲层,所述第一密封层、所述缓冲层、所述第二密封层是氮化硅膜,所述氮化硅膜的成膜通过以氨气为原料的化学气相沉积(CVD)法进行,将进行所述缓冲层的成膜时的氨气的气体量设为高于进行第一密封层以及第二密封层的成膜时的氨气的气体量的4倍且低于20倍的值。
发明的效果
在本发明的一方式的有机EL显示面板中,缓冲层介于第一密封层和第二密封层之间,所以第一密封层和第二密封层的形状变化在层的深度方向上并不急剧而是连续性的。因此,能够在覆盖各种形状的台阶隔壁、异物的同时,以较高的密封性保护多个显示元件。
附图说明
图1是以X-Z平面示出实施方式的有机EL显示面板的截面结构的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择