[发明专利]基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710197643.3 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107146811B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 毛维;石朋毫;王海永;郝跃;艾治州;马晓华;张弘 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管，主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、电流孔径层(3)、左右两个对称的多级阶梯结构的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，两个源极(9)之间的势垒层(7)上淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有漏极(11)，钝化层(12)完全包裹除在漏极底部以外所有区域，两个对称电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 阻挡 调制 结构 电流 孔径 功率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管，包括:衬底(1)、漂移层(2)、电流孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，势垒层(7)上淀积有栅极(10)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，每个源极的下方设有注入区(8)，衬底(1)下面淀积有漏极(11)，两个对称的电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，钝化层(12)完全包裹在除漏极底部以外的所有区域外面，其特征在于：/n所述电流孔径层(3)，是由自下而上的第一孔径层(31)至第m孔径层(3m)所构成的多层结构；/n所述电流阻挡层(4)，是由自下而上的第一阻挡层(41)至第m阻挡层(4m)所构成的m级阶梯结构，且第一阻挡层(41)的厚度与第一孔径层(31)的厚度相同，第二阻挡层(42)的厚度与第二孔径层(32)的厚度相同，第m阻挡层(4m)的厚度与第m孔径层(3m)的厚度相同。/n
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