[发明专利]基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管，包括:衬底(1)、漂移层(2)、电流孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，势垒层(7)上淀积有栅极(10)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，每个源极的下方设有注入区(8)，衬底(1)下面淀积有漏极(11)，两个对称的电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，钝化层(12)完全包裹在除漏极底部以外的所有区域外面，其特征在于：

所述电流孔径层(3)，是由自下而上的第一孔径层(31)至第m孔径层(3m)所构成的多层结构；

所述电流阻挡层(4)，是由自下而上的第一阻挡层(41)至第m阻挡层(4m)所构成的m级阶梯结构，且第一阻挡层(41)的厚度与第一孔径层(31)的厚度相同，第二阻挡层(42)的厚度与第二孔径层(32)的厚度相同，第m阻挡层(4m)的厚度与第m孔径层(3m)的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的电流孔径功率晶体管，其特征在于电流阻挡层(4)的阶梯结构的级数m是根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于2的整数。

3.根据权利要求1所述的电流孔径功率晶体管，其特征在于第一阻挡层(41)的厚度T₁为1～3μm，第一阻挡层(41)的宽度S₁为0.5～1μm。

4.根据权利要求1所述的电流孔径功率晶体管，其特征在于第二阻挡层(42)至第m阻挡层(4m)的厚度为T_i，宽度为S_i，且自下而上满足关系式：T₂≥...≥T_i≥...≥T_m，S₂≤...≤S_i≤…≤S_m，T₁≥T₂，S₁≤S₂，i为整数且m≥i≥2。

5.根据权利要求1所述的电流孔径功率晶体管，其特征在于第一阻挡层(41)至第m阻挡层(4m)均采用p型掺杂。