[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括第一区、位于第一区两侧且与第一区邻接的第二区，基底第一区上有栅极结构；在栅极结构两侧基底第二区中分别形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层中有源漏离子，源漏掺杂层中的源漏离子具有第一浓度，源漏掺杂层的顶部表面低于基底第一区的顶部表面；在源漏掺杂层表面形成阻挡层，阻挡层中有源漏离子，阻挡层中的源漏离子具有第二浓度，阻挡层的顶部表面高于或齐平于基底第一区的顶部表面；在阻挡层的表面形成覆盖层，覆盖层中有源漏离子，覆盖层中的源漏离子具有第三浓度，第三浓度大于第一浓度，且第二浓度小于第三浓度。所述半导体器件的形成方法改善了半导体器件的短沟道效应。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区、位于第一区两侧且与第一区邻接的第二区，所述基底第一区上具有栅极结构；在所述栅极结构两侧基底第二区中分别形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层中具有源漏离子，所述源漏掺杂层中的源漏离子具有第一浓度，所述源漏掺杂层的顶部表面低于基底第一区的顶部表面；在所述源漏掺杂层表面形成阻挡层，阻挡层中具有源漏离子，所述阻挡层中的源漏离子具有第二浓度，所述阻挡层的顶部表面高于或齐平于基底第一区的顶部表面；在所述阻挡层的表面形成覆盖层，覆盖层中具有源漏离子，所述覆盖层中的源漏离子具有第三浓度，第三浓度大于第一浓度，且第二浓度小于第三浓度。