[发明专利]可变电阻存储器件和存储结构

摘要

本公开涉及可变电阻存储器件和存储结构。一种可变电阻存储器件包括一条或更多条第一导电线的图案、一条或更多条第二导电线的图案和第一与第二导电线之间的存储结构。第一导电线的图案在衬底上在第一方向上展开，第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸。第二导电线的图案在第一导电线上在第二方向上展开，第二导电线在第一方向上延伸。存储结构垂直地重叠第一导电线和第二导电线。存储结构包括电极结构、在电极结构的中心上表面上的绝缘图案和在电极结构的边缘上表面上的可变电阻图案。可变电阻图案至少部分地覆盖绝缘图案的侧壁。

主权项

一种可变电阻存储器件，包括：在衬底上在第一方向上排列的多个第一导电线，所述第一导电线中的每条在与所述第一方向基本正交的第二方向上延伸，所述第一方向和第二方向基本平行于所述衬底的上表面；在所述多个第一导电线上在所述第二方向上排列的多个第二导电线，所述第二导电线中的每条在所述第一方向上延伸；以及在所述多个第一导电线与所述多个第二导电线之间的多个存储结构，所述多个存储结构中的每个垂直地重叠所述多个第一导电线之一和所述多个第二导电线之一，所述多个存储结构中的每个在与所述第一方向和所述第二方向基本正交的第三方向上延伸，所述第三方向与所述衬底的所述上表面基本正交，所述多个存储结构中的每个包括：电极结构；在所述电极结构的中心上表面上的绝缘图案；以及在所述电极结构的边缘上表面上的可变电阻图案，所述可变电阻图案至少部分地覆盖所述绝缘图案的侧壁。