[发明专利]可变电阻存储器件和存储结构

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件，包括：

在衬底上在第一方向上排列的多个第一导电线，所述第一导电线中的每条在与所述第一方向基本正交的第二方向上延伸，所述第一方向和第二方向基本平行于所述衬底的上表面；

在所述多个第一导电线上在所述第二方向上排列的多个第二导电线，所述第二导电线中的每条在所述第一方向上延伸；以及

在所述多个第一导电线与所述多个第二导电线之间的多个存储结构，所述多个存储结构中的每个垂直地重叠所述多个第一导电线之一和所述多个第二导电线之一，所述多个存储结构中的每个在与所述第一方向和所述第二方向基本正交的第三方向上延伸，所述第三方向与所述衬底的所述上表面基本正交，所述多个存储结构中的每个包括：

电极结构；

在所述电极结构的中心上表面上的绝缘图案；以及

在所述电极结构的边缘上表面上的可变电阻图案，所述可变电阻图案至少部分地覆盖所述绝缘图案的侧壁。

2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述可变电阻图案具有围绕所述绝缘图案的所述侧壁的环形。

3.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述可变电阻图案具有覆盖所述绝缘图案的在所述第一方向上彼此相反的侧壁中的每个的线形状。

4.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述可变电阻图案具有覆盖所述绝缘图案的在所述第二方向上彼此相反的侧壁中的每个的线形状。

5.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述电极结构包括：

电极；以及

在所述电极上的加热器。

6.一种可变电阻存储器件，包括：

在衬底上在第一方向上排列的多个第一导电线，所述第一导电线的每一条在与所述第一方向基本正交的第二方向上延伸，以及所述第一方向和第二方向基本平行于所述衬底的上表面；

在所述多个第一导电线上在所述第二方向上排列的多个第二导电线，所述第二导电线的每一条在所述第一方向上延伸；以及

在所述多个第一导电线与所述多个第二导电线之间的多个存储结构，所述多个存储结构中的每个在与所述衬底的所述上表面基本正交的第三方向上垂直地重叠所述多个第一导电线之一和所述多个第二导电线之一，以及所述多个存储结构中的每个包括：

电极结构；

接触所述电极结构的中心下表面的绝缘图案；以及

接触所述电极结构的边缘下表面的可变电阻图案，所述可变电阻图案至少部分地覆盖所述绝缘图案的侧壁。

7.如权利要求6所述的可变电阻存储器件，其中所述电极结构包括：

加热器；以及

在所述加热器上的电极，

其中所述加热器分别接触所述绝缘图案和所述可变电阻图案的上表面。

8.如权利要求7所述的可变电阻存储器件，还包括：

在所述电极结构上的选择图案。

9.如权利要求8所述的可变电阻存储器件，还包括：

在所述绝缘图案和所述可变电阻图案之下的单独的电极；以及

在所述选择图案上的另外的电极。

10.如权利要求7所述的可变电阻存储器件，还包括：

另一电极；

在所述另一电极上的选择图案；以及

在所述选择图案上的另外的电极，

其中所述另外的电极分别接触所述绝缘图案和所述可变电阻图案的下表面。

11.一种可变电阻存储器件，包括：

存储结构，包括：

在衬底上的第一电极；

在所述第一电极上的选择图案；

在所述选择图案上的第二电极；

在所述第二电极的中心上表面上的绝缘图案；

在所述第二电极的边缘上表面上的可变电阻图案，所述可变电阻图案覆盖所述绝缘图案的侧壁的至少一部分；以及

在所述绝缘图案和所述可变电阻图案上的第三电极。

12.如权利要求11所述的可变电阻存储器件，其中，

所述绝缘图案在第一方向上延伸，以及

所述可变电阻图案具有覆盖所述绝缘图案的在与所述第一方向基本正交的第二方向上彼此相反的侧壁中的每个的线形状。