[发明专利]利用局部互连缩小标准单元库面积的版图设计方法

摘要

本发明涉及一种利用局部互连缩小标准单元库面积的版图设计方法，标准单元版图中晶体管单元高度不变，将以接触孔做源、漏端的连线口，替换为半导体多晶硅POLY2做源、漏端的连线口，POLY2在栅GT的侧面有一层侧壁隔离膜，POLY2与源、漏端的有源区之间没有隔离层，POLY2与有源区直接相连，以此缩小栅GT到两边源、漏端的有源区的距离。与标准单元版图设计结合，通过局部互连的技术，在保证器件结构，电路设计基本不变，工艺改动非常之小，使得面积相比同技术节点的0.13 μm LL（低漏流）缩小了28 %，具有工程实用性和科学性。由于在成熟工艺节点上的改良，芯片的成品率得到了保障，在时间上比起传统的工艺来说具有很大的优势。

主权项

一种利用局部互连缩小标准单元库面积的版图设计方法，其特征在于，标准单元版图中晶体管单元高度不变，将以接触孔做源、漏端的连线口，替换为半导体多晶硅POLY2做源、漏端的连线口，半导体多晶硅POLY2在栅GT的侧面有一层侧壁隔离膜，半导体多晶硅POLY2与源、漏端的有源区之间没有隔离层，POLY2与有源区直接相连，以此缩小栅GT到两边源、漏端的有源区的距离。