[发明专利]一种Ni-B助剂改性的氧化铁纳米棒电极及制备方法和在光催化中的应用

摘要

本发明公开了一种由Ni‑B助剂改性的氧化铁纳米棒薄膜电极及其制备方法和其在光催化领域的应用，Ni‑B助催化剂通过电沉积的方式沉积于氧化铁纳米棒薄膜电极表面，为无定型层覆盖于电极表面，制备方法包括制备氧化铁纳米棒薄膜电极、电沉积Ni‑B助催化剂、阳极活化Ni‑B助催化剂三个步骤。本发明有效地提高了氧化铁纳米棒光电极表面产氧反应动力学，同时提高载流子分离效率，光电化学池分解水性能优越，并且制备方法简单、原料廉价易得，可实现低成本、大规模的应用。

主权项

1.Ni‑B助剂改性的氧化铁纳米棒电极，其特征在于，由FTO导电玻璃、α‑Fe2O3纳米棒阵列和Ni‑B助剂组成，在FTO导电玻璃上设置由垂直于FTO导电玻璃的α‑Fe2O3纳米棒阵列组成的Fe2O3纳米棒薄膜，α‑Fe2O3纳米棒长度和Fe2O3纳米棒薄膜厚度基本一致，Ni‑B助剂通过电沉积的方式沉积于Fe2O3纳米棒薄膜表面，呈无定型层形貌覆盖于Fe2O3纳米棒薄膜表面，其中Ni和B元素的原子比为1:1.5～1:3。