[发明专利]一种PERC电池及其制备方法在审
申请号: | 201710181396.8 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN106952970A | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 魏青竹;朱铭鲁;连维飞 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人: | 孙仿卫,李萍 |
地址: | 215542 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种PERC电池及其制备方法,减少了银浆在烧结过程中对激光开口区域的硅基体产生的烧蚀。一种PERC电池片,包括硅基体、覆盖形成在所述硅基体背面上的钝化层、层叠设在所述钝化层上的背银电极以及铝背场,所述钝化层上具有多个背银电极区,所述钝化层的除所述背银电极区以外的区域上通过激光刻蚀间隔形成有多个激光开口,所述激光开口贯通所述钝化层以露出所述硅基体,所述背银电极形成在所述背银电极区上,所述铝背场的部分覆盖形成在所述激光开口内以和所述硅基体形成局部接触。 | ||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种PERC电池片,包括硅基体、覆盖形成在所述硅基体背面上的钝化层、设在所述钝化层上的背银电极以及铝背场,其特征在于:所述钝化层上具有多个背银电极区,所述钝化层的除所述背银电极区以外的区域上通过激光刻蚀间隔形成有多个激光开口,所述激光开口贯通所述钝化层以露出所述硅基体,所述背银电极形成在所述背银电极区上,所述铝背场的部分覆盖形成在所述激光开口内以和所述硅基体形成局部接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的