[发明专利]麦克风及其制造方法有效
| 申请号： | 201710180170.6 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108632732B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种麦克风及其制造方法，涉及半导体技术领域。该麦克风包括：衬底，该衬底包括：开口、在该开口底部的第一电极层、以及与该第一电极层相邻的至少一个沟槽，其中，该沟槽和该开口分别在该第一电极层的下表面的两侧；填充该沟槽的隔离材料层；以及在该隔离材料层之上的第二电极层；其中，该第一电极层、该隔离材料层和该第二电极层形成空腔。本发明中，在沟槽上的隔离材料层可以作为锚节点而嵌入到衬底中，这样增大有效接触面积，使得应力更加均匀且结合力更大，因而可以使得第二电极层与衬底结合得更好，而且该第二电极层也不容易损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 麦克风 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种麦克风，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括：开口、在所述开口底部的第一电极层、以及与所述第一电极层相邻的至少一个沟槽，其中，所述沟槽和所述开口分别在所述第一电极层的下表面的两侧；填充所述沟槽的隔离材料层；以及在所述隔离材料层之上的第二电极层；其中，所述第一电极层、所述隔离材料层和所述第二电极层形成空腔。
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