[发明专利]麦克风及其制造方法

说明书

本发明公开了一种麦克风及其制造方法，涉及半导体技术领域。该麦克风包括：衬底，该衬底包括：开口、在该开口底部的第一电极层、以及与该第一电极层相邻的至少一个沟槽，其中，该沟槽和该开口分别在该第一电极层的下表面的两侧；填充该沟槽的隔离材料层；以及在该隔离材料层之上的第二电极层；其中，该第一电极层、该隔离材料层和该第二电极层形成空腔。本发明中，在沟槽上的隔离材料层可以作为锚节点而嵌入到衬底中，这样增大有效接触面积，使得应力更加均匀且结合力更大，因而可以使得第二电极层与衬底结合得更好，而且该第二电极层也不容易损坏。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种麦克风及其制造方法。

背景技术

目前，在麦克风的工艺发展过程中，为了改善麦克风的灵敏度，可以使用SOI((Silicon On Insulator，绝缘体上的硅)晶片。在制造过程中，在将硅的氧化物去除后，该SOI晶片可以作为一个电极膜。然而，在利用BOE(Buffer Oxide Etching，缓冲氧化物刻蚀)去除硅的氧化物之后，该电极膜容易损坏。图1A是示意性地示出现有技术中的麦克风的横截面图。如图1A所示，该麦克风包括：衬底11、绝缘物层12、SOI薄膜13、第一接触件14和第二接触件15。

发明内容

本发明的发明人发现，在麦克风的制造过程中，需要将SOI与形成有绝缘物层的衬底进行结合，在结合之前，需要对在衬底上形成的绝缘物层进行CMP(Chemical MechanicalPlanarization，化学机械平坦化)，由于衬底上形成有多个凹口，因此在CMP后，该绝缘物层的均匀性可能并不好，因此在进行结合时，结合力不充分，而且应力不均匀，从而导致在BOE后，SOI薄膜容易损坏。

根据本发明的第一方面，提供了一种麦克风，包括：衬底，所述衬底包括：开口、在所述开口底部的第一电极层、以及与所述第一电极层相邻的至少一个沟槽，其中，所述沟槽和所述开口分别在所述第一电极层的下表面的两侧；填充所述沟槽的隔离材料层；以及在所述隔离材料层之上的第二电极层；其中，所述第一电极层、所述隔离材料层和所述第二电极层形成空腔。

在一个实施例中，所述第一电极层包括：将所述开口与所述空腔连通的多个第一通孔；其中，所述沟槽围绕所述多个第一通孔。

在一个实施例中，所述沟槽全包围所述多个第一通孔或者间断地包围所述多个第一通孔。

在一个实施例中，所述沟槽为圆形或者多边形。

在一个实施例中，所述沟槽的深度范围为至所述沟槽的宽度范围为40μm至50μm；所述隔离材料层的厚度大于所述沟槽的深度。

在一个实施例中，所述麦克风还包括：在所述衬底上的第一接触件；以及在所述第二电极层上的第二接触件。

在一个实施例中，所述麦克风还包括：贯穿所述第二电极层的一个或多个阻挡部，其中，所述阻挡部用于阻挡所述第一电极层与所述第二电极层接触。

在一个实施例中，每个所述阻挡部包括：贯穿所述第二电极层的第一部分和在所述第一部分之上的第二部分；其中，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度，所述第一部分的下表面低于所述第二电极层的下表面。

在一个实施例中，所述第二电极层包括：贯穿所述第二电极层且与所述空腔连通的一个或多个第二通孔。

在一个实施例中，所述麦克风还包括：在所述第二电极层与所述隔离材料层之间的绝缘物层；其中，所述绝缘物层与所述隔离材料层结合在一起。

在上述麦克风中，在沟槽上的隔离材料层可以作为锚节点而嵌入到衬底中，这样可以增大有效接触面积，使得应力更加均匀且结合力更大，因而可以使得第二电极层与衬底结合得更好，而且该第二电极层也不容易损坏。