[发明专利]麦克风及其制造方法

权利要求书

1.一种麦克风，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括：开口、在所述开口底部的第一电极层、以及与所述第一电极层相邻的至少一个沟槽，其中，所述沟槽和所述开口分别在所述第一电极层的下表面的两侧；

填充所述沟槽的隔离材料层；

在所述隔离材料层之上的第二电极层；以及

贯穿所述第二电极层的一个或多个阻挡部，其中，所述阻挡部用于阻挡所述第一电极层与所述第二电极层接触，每个所述阻挡部包括：贯穿所述第二电极层的第一部分和在所述第一部分之上的第二部分，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度，所述第一部分的下表面低于所述第二电极层的下表面；

其中，所述第一电极层、所述隔离材料层和所述第二电极层形成空腔；所述第一电极层包括将所述开口与所述空腔连通的多个第一通孔；所述沟槽全包围所述多个第一通孔或者间断地包围所述多个第一通孔。

2.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，

所述沟槽为圆形或者多边形。

3.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，

所述沟槽的深度范围为至所述沟槽的宽度范围为40μm至50μm；

所述隔离材料层的厚度大于所述沟槽的深度。

4.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，还包括：

在所述衬底上的第一接触件；以及

在所述第二电极层上的第二接触件。

5.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，

所述第二电极层包括：贯穿所述第二电极层且与所述空腔连通的一个或多个第二通孔。

6.根据权利要求1所述的麦克风，其特征在于，还包括：

在所述第二电极层与所述隔离材料层之间的绝缘物层；其中，所述绝缘物层与所述隔离材料层结合在一起。

7.一种麦克风的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：衬底，所述衬底具有至少一个沟槽；以及形成在所述衬底上的隔离材料层，所述隔离材料层填充所述沟槽；

提供第二半导体结构，所述第二半导体结构至少包括第二电极层；

将所述第一半导体结构与所述第二半导体结构结合，其中，所述隔离材料层将所述第二电极层与所述衬底隔离开；

对所述衬底进行背面刻蚀以形成开口，其中，在所述开口底部形成第一电极层，所述沟槽和所述开口分别在所述第一电极层的下表面的两侧；以及

去除所述隔离材料层的在所述沟槽之外的至少一部分，从而使得所述第一电极层、所述隔离材料层在所述沟槽上的部分和所述第二电极层形成空腔；

所述方法还包括：形成贯穿所述第二电极层的一个或多个阻挡部，其中，所述阻挡部用于阻挡所述第一电极层与所述第二电极层接触，每个所述阻挡部包括：贯穿所述第二电极层的第一部分和在所述第一部分之上的第二部分，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度，所述第一部分的下表面低于所述第二电极层的下表面。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第一电极层包括：将所述开口与所述空腔连通的多个第一通孔；其中，所述沟槽围绕所述多个第一通孔。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，提供第一半导体结构的步骤包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成至少一个沟槽；

对所述衬底执行图案化以形成多个凹口，所述沟槽围绕所述多个凹口；

在所述衬底上沉积隔离材料层，其中，所述隔离材料层的一部分填充所述沟槽，以及所述隔离材料层的另一部分形成在所述凹口的底部和侧壁上；以及

对所述隔离材料层执行平坦化。