[发明专利]薄膜形成装置有效

专利信息
申请号: 201710179143.7 申请日: 2017-03-23
公开(公告)号: CN107523803B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 郭东周;申东镐 申请(专利权)人: HB技术有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/48
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 朱健
地址: 韩国忠清*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 用于实现如上所述的目的的本发明提供一种薄膜形成装置,向基板的表面上供给CVD(化学气相沉积)原料气体,向所供给的上述原料气体照射激光,利用与上述激光发生反应的上述原料气体,在上述基板形成薄膜,其特征在于,在上述基板的上部设置有腔室单元,上述腔室单元由供给原料气体的原料供给机构、使向上述原料供给机构供给的原料气体滞留的气体滞留腔室、排出从上述气体滞留腔室排出的原料气体的第一排气部和排出气体及原料气体的第二排气部形成,上述薄膜形成装置形成向上述气体滞留腔室的前方向形成均匀的压力的机构,以便在上述气体滞留腔室的内部使上述化学气相沉积原料气体的流动(gas flow)变得均匀。
搜索关键词: 薄膜 形成 装置
【主权项】:
1.一种薄膜形成装置,向基板的表面上供给化学气相沉积原料气体,向所供给的上述化学气相沉积原料气体照射激光,利用与上述激光发生反应的上述化学气相沉积原料气体,在上述基板形成薄膜,其特征在于:在上述基板的上部设置有腔室单元,上述腔室单元由原料供给机构、气体滞留腔室、第一排气部和第二排气部形成,上述原料供给机构供给原料气体,上述气体滞留腔室使向上述原料供给机构供给的原料气体滞留,上述第一排气部排出上述气体滞留腔室排出的原料气体,上述第二排气部排出气体及原料气体,所述第一排气部由形成于所述腔室单元的底面的圆形的第一沟槽和与形成于上述第一沟槽的第一沟槽孔相连接的第一贯通孔形成;所述第二排气部由形成于所述腔室单元的底面的第二沟槽、与形成于上述第二沟槽的第二沟槽孔相连接来排出上述气体及原料气体的第二贯通孔形成;在所述气体滞留腔室的上部设置有激光透射窗,使得激光透射,形成有与所述气体滞留腔室相连接来供给吹扫用的气体的第二气体排出口;上述薄膜形成装置形成向上述气体滞留腔室的前方向形成均匀的压力的机构,以便在上述气体滞留腔室的内部使上述化学气相沉积原料气体的流动变得均匀;在向所述气体滞留腔室的前方向形成均匀的压力的机构中,在从所述原料供给机构向所述气体滞留腔室供给的原料气体的供给方向相同的平行线上,向原料气体的供给方向180°的前方形成有所述第一排气部,在供给原料气体的方向的后方,以上述平行线为基准,两侧对称地分别形成有第二排气部;在上述腔室单元中,在上述气体滞留腔室的周边部形成有一个以上的空气喷射孔,上述空气喷射孔向上述基板的表面侧喷射空气;所述原料供给机构形成有与所述气体滞留腔室相连接来供给原料气体的原料供给口,所述原料供给口的内周面形成有螺旋形的螺旋槽,使供给的原料气体的截面形状进行旋转;所述原料供给口倾斜地与所述气体滞留腔室相连接,使原料气体沿着所述气体滞留腔室的内周面以打旋的模样进行供给。
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