[发明专利]薄膜形成装置

说明书

用于实现如上所述的目的的本发明提供一种薄膜形成装置，向基板的表面上供给CVD(化学气相沉积)原料气体，向所供给的上述原料气体照射激光，利用与上述激光发生反应的上述原料气体，在上述基板形成薄膜，其特征在于，在上述基板的上部设置有腔室单元，上述腔室单元由供给原料气体的原料供给机构、使向上述原料供给机构供给的原料气体滞留的气体滞留腔室、排出从上述气体滞留腔室排出的原料气体的第一排气部和排出气体及原料气体的第二排气部形成，上述薄膜形成装置形成向上述气体滞留腔室的前方向形成均匀的压力的机构，以便在上述气体滞留腔室的内部使上述化学气相沉积原料气体的流动(gas flow)变得均匀。

技术领域

本发明涉及薄膜形成装置，更详细地，涉及用于校正光掩模、液晶基板等具有平面图案结构的基板的缺陷的薄膜形成装置。

背景技术

图1为以往的薄膜形成装置的剖视图，图2为以往的薄膜形成装置的俯视图，参照图1至图2，在以往的薄膜形成装置中，在基板1的上部设置有腔室单元20，上述腔室单元20包括：原料供给机构30，用于供给原料气体；气体滞留腔室40，用于使向上述原料供给机构30供给的原料气体滞留；第一排气部50，用于排出上述气体滞留腔室40排出的原料气体；第一气体排出部60，用于阻隔外部空气，以防止原料气体与外部气体相混淆；以及第二排气部70，用于排出气体及原料气体。

在与向上述气体滞留腔室40供给的原料气体的供给方向相同的平行线2上，向上述原料气体的供给方向的后方形成有上述第一排气部50、第一气体排出部60及第二排气部70，从而在上述腔室单元20的3/4的等分面形成气流(gas flow)，由于气体滞留腔室40的压力不均衡，因而向激光的位置流动的原料气体的量少，导致反应性变低的问题。

现有技术文献

专利文献

(专利文献1)韩国授权专利10-0381940号

(专利文献2)韩国授权专利10-0547500号

发明内容

因此，本发明为了解决如上所述的现有技术的问题而提出，本发明的目的在于，提供如下的薄膜形成装置，设计成向气体滞留腔室的前方向形成均匀的压力，从而使气体滞留腔室内的化学气相沉积(CVD)原料气体的流动(gas flow)变得均匀，以提高原料气体和激光的反应性。

但是，本发明的目的不局限于上述所提及的目的，未提及的其他目的可从以下的记载内容中由本发明所属技术领域的普通技术人员明确地理解。

用于实现如上所述的目的的本发明提供一种薄膜形成装置，向基板的表面上供给化学气相沉积原料气体，向所供给的上述化学气相沉积原料气体照射激光，利用与上述激光发生反应的上述化学气相沉积原料气体，在上述基板形成薄膜，其特征在于，在上述基板的上部设置有腔室单元，上述腔室单元由原料供给机构、气体滞留腔室、第一排气部和第二排气部形成，上述原料供给机构供给原料气体，上述气体滞留腔室使向上述原料供给机构供给的原料气体滞留，上述第一排气部排出上述气体滞留腔室排出的原料气体，上述第二排气部排出气体及原料气体，上述薄膜形成装置形成向上述气体滞留腔室的前方向形成均匀的压力的机构，以便在上述气体滞留腔室的内部使上述化学气相沉积原料气体的流动变得均匀。

并且，本发明提供一种薄膜形成装置，其特征在于，在向上述气体滞留腔室的前方向形成均匀的压力的机构中，在与从上述原料供给机构向上述气体滞留腔室供给的原料气体的供给方向相同的平行线上，向上述原料气体的供给方向前方(180°)形成有上述第一排气部，在上述平行线上，向上述第一排气部的前方形成有上述第一气体排出部，在供给上述原料气体的方向的后方，以上述平行线为基准，两侧对称地分别形成有第二排气部。

并且，本发明提供一种薄膜形成装置，其特征在于，在上述腔室单元中，在上述气体滞留腔室的周边部形成有一个以上的空气喷射孔，上述空气喷射孔向上述基板的表面侧喷射空气。