[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 201710178639.2 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN107275367A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘敏钻;李冠锋;许乃方 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种显示装置，包括一基板；一发光二极管，设置于基板上；一第一晶体管，设置于基板上；以及一第二晶体管，设置于基板上。第一晶体管包括一第一半导体层；一第一顶闸极，设置于第一半导体层上；一第一底闸极，设置于该第一半导体层下；一第一源极，与该第一半导体层电性连接；以及一第一汲极，与该第一半导体层电性连接，其中，第一汲极与发光二极管电性连接。此外，第二晶体管包括一第二半导体层。在此，第一半导体层和第二半导体层其中一者包括一第一硅半导体层，其中另一者包括一第一氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示装置，其特征在于，包括：一第一基板；一发光二极管，设置于该第一基板上；一第一晶体管，设置于该第一基板上，包括：一第一半导体层；一第一顶闸极，设置于该第一半导体层上；一第一底闸极，设置于该第一半导体层下；一第一源极，与该第一半导体层电性连接；以及一第一汲极，与该第一半导体层电性连接，其中，该第一汲极与该发光二极管电性连接；以及一第二晶体管，设置于该第一基板上并且包括一第二半导体层；其中，该第一半导体层和该第二半导体层其中一者包括一第一硅半导体层，而另一者包括一第一氧化物半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
