[发明专利]显示装置在审

专利信息
申请号: 201710178639.2 申请日: 2017-03-23
公开(公告)号: CN107275367A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 刘敏钻;李冠锋;许乃方 申请(专利权)人: 群创光电股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L27/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹科学工*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,其特征在于,包括:

一第一基板;

一发光二极管,设置于该第一基板上;

一第一晶体管,设置于该第一基板上,包括:

一第一半导体层;

一第一顶闸极,设置于该第一半导体层上;

一第一底闸极,设置于该第一半导体层下;

一第一源极,与该第一半导体层电性连接;以及

一第一汲极,与该第一半导体层电性连接,其中,该第一汲极与该发光二极管电性连接;以及

一第二晶体管,设置于该第一基板上并且包括一第二半导体层;

其中,该第一半导体层和该第二半导体层其中一者包括一第一硅半导体层,而另一者包括一第一氧化物半导体层。

2.如权利要求1所述的显示装置,其中,该第一半导体层包括该第一硅半导体层,以及该第二半导体层包括该第一氧化物半导体层。

3.如权利要求1所述的显示装置,其中,该第一半导体层包括该第一氧化物半导体层,以及该第二半导体层包括该第一硅半导体层。

4.如权利要求1所述的显示装置,其中,该第一源极和该第一汲极设置于该第一顶闸极下。

5.如权利要求1所述的显示装置,其中,该第二晶体管还包括一第一闸极和一第二闸极,该第一闸极和该第二闸极设置于第二半导体层上。

6.如权利要求5所述的显示装置,其中,该第二半导体层包括二第二半导体区域,该二第二半导体区域分别与该第一闸极和该第二闸极重叠。

7.如权利要求5所述的显示装置,其中,该第二晶体管还包括一第七闸极,该第七闸极设置于该第二半导体层下。

8.如权利要求5所述的显示装置,其中,该第二半导体层包括该第一硅半导体层。

9.如权利要求1所述的显示装置,其中,该第二晶体管还包括一第一闸极和一第二闸极,该第一闸极设置于该第二半导体层上,该第二闸极设置于该第二半导体层下。

10.如权利要求1所述的显示装置,其中,该第一源极、该第一汲极、和该第一半导体层为一体成形。

11.如权利要求1所述的显示装置,其中,该显示装置还包括一第三晶体管,该第三晶体管设置于该第一基板上,其中,该第三晶体管包括一第三半导体层、一第三闸极、和一第四闸极,且该第三闸极和该第四闸极设置于该第三半导体层上。

12.如权利要求1所述的显示装置,其中,该显示装置还包括一第四晶体管,该第四晶体管设置于该第一基板上,其中,该第四晶体管包括一第四半导体层、一第五闸极、和一第六闸极,该第五闸极设置于该第四半导体层上,该第六闸极设置于该第四半导体层下。

13.如权利要求1所述的显示装置,其中,该显示装置还包括一第一电容,其中,该第一电容包括一电容电极,且该电容电极和该第一汲极部分重叠。

14.如权利要求1所述的显示装置,其中,该显示装置还包括一第二电容,其中,该第二电容包括一第五半导体层,该第五半导体层和该第一顶闸极部分重叠。

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