[发明专利]一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710177483.6 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108631153A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 任忠祥;苏建;夏伟;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法，该半导体激光器芯片包括外延片，外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层，外延片中心位置设置有脊型光腔，脊型光腔的两侧设置有隔离槽，隔离槽外侧设置有肩区，外延片的上表面设置有高反射率光学膜层和P电极层；其制备步骤包括：（1）形成外延片；（2）一次光刻；（3）蒸镀高反射率光学膜；（4）二次光刻；（5）三次光刻；（6）制备P电极层；（7）衬底减薄；（8）制备N电极层；（9）巴条解离和镀膜；（10）形成单个激光器芯片。本发明实现了对光腔的光限制，使激光器芯片的阈值电流降低，光电转换效率提升，明显改善了输出光形，消除了杂散光，提升了芯片可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片 制备 半导体激光器芯片 激光器芯片 高反射率 全反射光 隔离槽 波导 光腔 脊型 光电转换效率 欧姆接触层 芯片可靠性 衬底减薄 光学膜层 两侧设置 输出光形 外侧设置 一次光刻 依次设置 阈值电流 二次光 光学膜 上包层 上表面 下包层 杂散光 巴条 衬底 次光 镀膜 肩区 解离 源区 蒸镀 | ||
【主权项】：
1.一种全反射光波导半导体激光器芯片，包括外延片，外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层，其特征是，外延片中心位置设置有脊型光腔，脊型光腔深至上包层内，脊型光腔的两侧设置有隔离槽，隔离槽的外侧设置有肩区，外延片的上表面设置有高反射率光学膜层，高反射率光学膜层上设置有P电极层。
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