[发明专利]氧化锌基底诱导取向生长硒化锑薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以<221>方向为主导生长取向；当氧化锌基底为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以<120>方向为主导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备，得到相应的硒化锑薄膜太阳能电池。本发明通过对硒化锑薄膜制备工艺中关键的基底种类及其内部结构等进行改进，与现有技术相比，能够对生长的硒化锑薄膜其取向灵活调整，同时不依赖于硒化锑的沉积的基底温度。

主权项

一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择优取向方向的硒化锑薄膜；所述特定取向的氧化锌基底为(100)取向的氧化锌基底、或(002)取向的氧化锌基底；当所述特定取向的氧化锌基底为(100)取向的氧化锌基底时，诱导生长出的所述具有择优取向方向的硒化锑薄膜是以<221>方向为主导生长取向；当所述特定取向的氧化锌基底为(002)取向的氧化锌基底时，诱导生长出的所述具有择优取向方向的硒化锑薄膜是以<120>方向为主导生长取向；所述(100)取向的氧化锌基底，其X射线衍射曲线中，ZnO(100)对应的衍射峰最高强度不小于ZnO(002)对应的衍射峰最高强度的60％；所述(002)取向的氧化锌基底，其X射线衍射曲线中，ZnO(002)对应的衍射峰强度最高，且ZnO(100)对应的衍射峰最高强度不大于ZnO(002)对应的衍射峰最高强度的8％。