[发明专利]一种半导体器件特性的测试分析方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件特性的测试分析方法，包括以下方法X射线无损探伤分析，物理特性外部分析，耐腐蚀特性测试，声学扫描显微镜测试，先行偏振光检测方法。本发明所提供的一种半导体器件特性的测试分析方法，用严谨科学的试验方法和判定依据，对于半导体器件样品的品质给出了最有效的判定依据，通过一系列的方法逐次排查半导体器件样品的芯片尺寸、引线键合定位、BGA封装焊球、BGA封装盖帽等指标，测试方法科学，过程中不会产生有害物质。

主权项

一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，包括以下方法：X射线无损探伤分析，通过对半导体器件样品的内部工艺结构简单分析，在半导体器件样品的正上方方向和侧视方向上分别进行X射线的照射，然后分别得到半导体器件样品的正上方方向和侧视方向上的X射线照片，在这事先准备了半导体器件标准品的内部工艺结构的X射线照片进行对比观察，如果通过对比发现半导体器件的引线框架形貌、半导体器件中的芯片位置、半导体器件中的芯片尺寸、半导体器件中的引线键合定位、半导体器件中的键合丝数量中的任一项不一致或者出现键合丝严重破损断丝现象，则判定为不合格；物理特性外部分析，对半导体器件样品进行外部物理特性分析，其中所述外部物理特性包括半导体器件的引线、半导体器件的引线焊区、半导体器件的封装壳体、半导体器件的封装盖帽、半导体器件的BGA封装焊球、半导体器件的BGA封装基板，如果其中任意一项出现缺陷现象，则判定为不合格；耐腐蚀特性测试，将半导体器件样品在室温条件下放入测试有机溶剂中，液体表面确保超过半导体器件样品上层，浸泡时间为10~20min，然后用镊子或者夹子将半导体器件样品从有机溶剂中捞出，在室温条件下晾干，晾干后使用特定刷子以0.5~1N的压力在半导体器件样品上重复刷5~10次，观察半导体器件样品表面是否出现腐蚀、掉漆或断线现象。