[发明专利]一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT及其制备方法在审
| 申请号： | 201710169410.2 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106783611A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱利恒;戴小平;覃荣震 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，包括步骤1，在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入；步骤2，对IGBT器件主体进行沟槽刻蚀并沉积栅氧化层；步骤3，对IGBT器件主体的沟槽进行N型掺杂的多晶硅层沉积并填充满沟槽；步骤4，刻蚀掉IGBT器件主体的沟槽外多余的N型掺杂的多晶硅；步骤5，对IGBT器件主体的表面进行多晶硅氧化层的沉积；步骤6，对完成多晶硅氧化层沉积的IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；步骤7，对IGBT器件主体的沟槽进行P型掺杂，在沟槽栅的顶部形成P型掺杂的多晶硅区。通过在栅极的沟槽内形成内嵌二极管，增大从阳极经栅极流出电流通道的电阻，遏制栅极寄生电容对开关速度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 栅极 二极管 沟槽 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，其特征在于，包括：步骤1，在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入；步骤2，对所述IGBT器件主体进行沟槽刻蚀并沉积栅氧化层；步骤3，对IGBT器件主体的沟槽进行N型掺杂的多晶硅层沉积并填充满所述沟槽；步骤4，刻蚀掉所述IGBT器件主体的沟槽外多余的N型掺杂的多晶硅；步骤5，对所述IGBT器件主体的表面进行多晶硅氧化层的沉积；步骤6，对完成所述多晶硅氧化层沉积的所述IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；步骤7，对所述IGBT器件主体的沟槽进行P型掺杂，在所述沟槽栅的顶部形成P型掺杂的多晶硅区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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