[发明专利]一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT及其制备方法在审
| 申请号： | 201710169410.2 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106783611A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱利恒;戴小平;覃荣震 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 栅极 二极管 沟槽 igbt 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1，在IGBT器件主体进行P-base区和N型增强区注入；
步骤2，对所述IGBT器件主体进行沟槽刻蚀并沉积栅氧化层；
步骤3，对IGBT器件主体的沟槽进行N型掺杂的多晶硅层沉积并填充满所述沟槽；
步骤4，刻蚀掉所述IGBT器件主体的沟槽外多余的N型掺杂的多晶硅；
步骤5，对所述IGBT器件主体的表面进行多晶硅氧化层的沉积；
步骤6，对完成所述多晶硅氧化层沉积的所述IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；
步骤7，对所述IGBT器件主体的沟槽进行P型掺杂，在所述沟槽栅的顶部形成P型掺杂的多晶硅区。
2.如权利要求1所述具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，其特征在于，所述N型掺杂的多晶硅层为通过原位掺杂形成的N型掺杂的多晶硅层。
3.如权利要求1或2所述具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，其特征在于，所述步骤7包括:
对所述IGBT器件主体的沟槽进行硼离子注入，在所述沟槽栅的顶部形成P型掺杂的多晶硅区。
4.如权利要求3所述具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂的多晶硅区的厚度为所述沟槽深度的三分之一到二分之一。
5.如权利要求1所述具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，其特征在于，在所述步骤7之后，还包括：
步骤8，在所述IGBT器件主体进行钝化层淀积与刻蚀，形成栅电极及阴极接触区。
6.一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT，其特征在于，包括至少一个穿过N型增强层的沟槽，所述沟槽的内沉积设置有位于所述沟槽下部的N型掺杂的多晶硅层和位于所述沟槽上部且与所述N型掺杂的多晶硅层顶面接触P型掺杂的多晶硅层，所述P型掺杂的多晶硅层上设置有多晶硅氧化层。
7.如权利要求6所述具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述P型掺杂的多晶硅区的厚度为所述沟槽深度的三分之一到二分之一。
8.如权利要求7所述具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述P型掺杂的多晶硅层为掺硼多晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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