[发明专利]基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头及制备方法在审
| 申请号： | 201710161580.6 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106890783A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 朱本鹏;吴鹏飞;朱宇航;杨晓非;陈实;欧阳君;张悦 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 赵伟,李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头及其制备方法,该相控探头包括从下至上依次层叠的下电极、1‑3复合的铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列、上电极阵列和柔性电路板；上电极阵列的阵元与其压电单晶阵列的阵元一一对应，柔性电路板上的印刷电路通道与上电极阵列的阵元对应；其制备方法包括采用光刻、刻蚀法进行切槽以形成1‑3复合的铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列，并通过溅射工艺在铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列下底面的压电片上形成下电极，在该压电单晶阵列的上表面形成上电极，并采用柔性电路板为电极提供连接外部电路的引线；本发明提供的一维超声相控阵探头可承受更高的工作温度和电场。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 pin pmn pt 三元 压电 超声 相控阵 探头 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头，其特征在于，包括从下至上依次层叠的下电极、铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列、上电极阵列和柔性电路板；所述上电极阵列的阵元与铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列的阵元一一对应，所述柔性电路板上的印刷电路通道与上电极阵列的阵元对应，柔性电路板用于将电极接线引出，便于与外部设备连接。
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