[发明专利]相变存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201710160215.3 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630806A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张超;周儒领;张庆勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器及其形成方法，其中，相变存储器的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成加热层；在所述加热层侧壁表面形成相变层，所述加热层仅侧壁与所述相变层接触。在所述加热层侧壁表面形成相变层，由于在加热层的形成工艺中，能够使加热层的厚度较小，小于加热层表面的最小尺寸。由于加热层的厚度较小，所述相变层位于所述加热层侧壁表面，则可以使所述相变层与所述加热层的接触面积较小。所述相变层与所述加热层的接触面积小，在读写数据时发生相变的相变层材料较少，从而能够缩短相变时间，进而增加相变存储器的读写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 加热层 相变存储器 侧壁表面 基底 写数据 侧壁 读写 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成加热层；在所述加热层侧壁表面形成相变层，所述加热层仅侧壁与所述相变层接触。
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