[发明专利]相变存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成加热层；

在所述加热层侧壁表面形成相变层，所述加热层仅侧壁与所述相变层接触。

2.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，形成所述相变层之前，所述形成方法还包括：在所述基底上形成隔热层，所述隔热层位于所述加热层上，且所述隔热层暴露出所述加热层侧壁，所述相变层还位于所述隔热层上。

3.如权利要求2所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，形成所述相变层的步骤包括：在所述隔热层上和所述加热层侧壁表面形成初始相变层；对所述初始相变层进行刻蚀，去除所述加热层侧壁表面的部分初始相变层。

4.如权利要求3所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，去除所述加热层侧壁表面的部分初始相变层的步骤包括：形成覆盖所述初始相变层的图形层，所述图形层暴露出加热层侧壁表面的部分初始相变层，且所述图形层与加热层在基底上的投影图形仅部分重合；以所述图形层为掩膜对所述初始相变层进行刻蚀，形成相变层。

5.如权利要求4所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，对所述初始相变层进行刻蚀的工艺包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求2所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述隔热层的材料为氮化硅。

7.如权利要求6所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，形成所述隔热层的工艺包括化学气相沉积工艺。

8.如权利要求2所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述隔热层的厚度为600埃～800埃。

9.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述加热层的材料为氮化钛、氮化钽、钛或钨；

形成所述加热层的工艺包括：物理气相沉积工艺。

10.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述相变层的材料为GeSbTe；形成所述相变层的工艺包括物理气相沉积工艺。

11.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述加热层的厚度为60nm～80nm。

12.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述加热层在所述基底表面的投影图形为矩形或圆形。

13.如权利要求12所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述加热层在所述基底表面的投影图形为正方形，所述加热层在所述基底表面的投影图形的边长为270nm～330nm。

14.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述基底包括：

第一插塞，所述第一插塞与所述加热层连接；

所述形成方法还包括：形成连接所述相变层的第二插塞。

15.一种相变存储器，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的加热层；

位于所述加热层侧壁表面的相变层，所述加热层仅侧壁与所述相变层接触。

16.如权利要求15所述的相变存储器，其特征在于，还包括位于所述加热层上的隔热层，所述相变层还位于所述隔热层上。

17.如权利要求16所述的相变存储器，其特征在于，所述隔热层的材料为氮化硅。

18.如权利要求16所述的相变存储器，其特征在于，所述隔热层的厚度为600埃～800埃。