[发明专利]一种钕铁硼磁体的烧结方法在审

专利信息
申请号: 201710159563.9 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN106920616A 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 杨晓霞 申请(专利权)人: 京磁材料科技股份有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;B22F3/10
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 代理人: 史霞
地址: 101300 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种钕铁硼磁体的烧结方法,包括以下步骤将钕铁硼磁体生坯加热脱气;将加热脱气后的钕铁硼磁体生坯在加热至目标烧结温度T1后保温烧结处理一定时间t1获得初级烧结体;将所述初级烧结体在烧结温度T2下保温烧结处理一定时间t2获得二级烧结体;其中,T1>T2,t1<t2。本发明方法在目标烧结温度T1下短时间保温,然后在低于目标烧结温度的烧结温度T2下长时间保温,形成的液相较少,能抑制烧结过程中磁体的晶粒长大,晶粒尺寸分布更加均匀,而且富钕相能更加均匀地包裹细小的主相晶粒,优化显微组织;因此,本发明提供的烧结方法能够有效提高钕铁硼磁体的磁性能。
搜索关键词: 一种 钕铁硼 磁体 烧结 方法
【主权项】:
一种钕铁硼磁体的烧结方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、将钕铁硼磁体生坯加热脱气;步骤二、将加热脱气后的钕铁硼磁体生坯在加热至目标烧结温度T1后保温烧结处理一定时间t1获得初级烧结体;步骤三、将所述初级烧结体在烧结温度T2下保温烧结处理一定时间t2获得二级烧结体;其中,T1>T2,t1<t2。
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