[发明专利]片内端接电路、存储器设备及存储器系统有效
申请号: | 201710155435.7 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN107644660B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 朴志云;金炳浩 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴晓兵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种连接到接收数据信号的输入缓冲器的片内端接(ODT)电路,该ODT电路包括连接到输入缓冲器的至少一个端接电阻器以及被配置为控制端接电阻器和输入缓冲器之间的连接的至少一个开关设备。该开关设备根据关于数据信号的信息而接通或断开。 | ||
搜索关键词: | 端接 电路 存储器 设备 系统 | ||
【主权项】:
一种连接到接收数据信号的输入缓冲器的片内端接电路,所述片内端接电路包括:至少一个端接电阻器,连接到所述输入缓冲器;以及至少一个开关设备,被配置为控制所述端接电阻器和所述输入缓冲器之间的连接;其中,所述开关设备根据关于数据信号的信息而接通或断开,其中,关于数据信号的信息包括以下至少一项:数据信号的模式信息、数据信号的频率信息和传输数据信号的通道的长度信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710155435.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。