[发明专利]一种线偏振出光有机发光二极管有效

专利信息
申请号: 201710148866.0 申请日: 2017-03-14
公开(公告)号: CN106935727B 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 周雷;高本领;范媛媛;宋光;张俊 申请(专利权)人: 淮阴工学院
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/50
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张华蒙
地址: 223100 江苏省淮安市洪泽区东七街三号高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种线偏振出光有机发光二极管,属于有机光电显示器件技术领域,其包括由上至下依次设置的基底、第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极,在第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极上均分别设置纳米光栅结构,纳米光栅结构为周期性阵列光栅,光栅的周期为70~180nm,占空比为0.4~0.7,槽深为20~80nm;在基底的上表面设置金属介质纳米偏振光栅结构。本发明的一种线偏振出光有机发光二极管,实现OLED器件直接线偏振出光,且器件制备工艺与低成本的软纳米压印光刻技术相兼容,适用于硬性、柔性和可拉伸基底材料,在线偏振光导航、目标反隐和识别等领域具有潜在的实用价值。
搜索关键词: 一种 偏振 有机 发光二极管
【主权项】:
1.一种线偏振出光有机发光二极管,其特征在于:包括由上至下依次设置的基底(1)、第一传输层(2)、有机发光层(3)、第二传输层(4)和复合背电极(5),所述的第一传输层(2)、有机发光层(3)、第二传输层(4)和复合背电极(5)均分别设置纳米光栅结构,所述的纳米光栅结构为周期性阵列光栅,纳米光栅的周期为70~180nm,占空比为0.4~0.7,槽深为20~80nm;在所述的基底(1)的上表面设置金属‑介质纳米偏振光栅结构(6),金属‑介质纳米偏振光栅周期为70~180nm,占空比为0.3~0.7,槽深为100~200nm。
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