[发明专利]成膜装置及成膜方法有效
| 申请号： | 201710148173.1 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN107201503B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 小野大祐 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子装置株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本神奈川县横*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜装置及成膜方法，进行将氧保持为适当量、品质良好且品质的不均少的成膜。成膜装置(1)包括：作为密闭容器的腔室(2)，配置着包含成膜材料的靶材(231)，内部被搬入工件(W)；排气装置(25)，在工件(W)的搬入后，将腔室(2)排气规定的排气时间而形成基础压力；以及溅镀气体导入部(27)，向排气成基础压力的腔室(2)的内部导入含氧的溅镀气体。溅镀气体导入部(27)根据附着在腔室(2)的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升，使导入到腔室(2)的溅镀气体的氧分压减少。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种成膜装置，对工件使用等离子体进行成膜，其特征在于，包括：密闭容器，配置着包含成膜材料的靶材，内部被搬入所述工件；排气装置，在所述工件的搬入后，将所述密闭容器排气规定时间而成为基础压力；以及溅镀气体导入部，对排气成所述基础压力的所述密闭容器的内部，导入含氧的溅镀气体，所述溅镀气体导入部根据附着在所述密闭容器内部的所述成膜材料的增加所引起的所述基础压力的上升，使导入到所述密闭容器的所述溅镀气体的氧分压减少。
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