[发明专利]成膜装置及成膜方法有效
| 申请号: | 201710148173.1 | 申请日: | 2017-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN107201503B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
| 发明(设计)人: | 小野大祐 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置株式会社 |
| 主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址: | 日本神奈川县横*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装置 方法 | ||
本发明提供一种成膜装置及成膜方法,进行将氧保持为适当量、品质良好且品质的不均少的成膜。成膜装置(1)包括:作为密闭容器的腔室(2),配置着包含成膜材料的靶材(231),内部被搬入工件(W);排气装置(25),在工件(W)的搬入后,将腔室(2)排气规定的排气时间而形成基础压力;以及溅镀气体导入部(27),向排气成基础压力的腔室(2)的内部导入含氧的溅镀气体。溅镀气体导入部(27)根据附着在腔室(2)的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升,使导入到腔室(2)的溅镀气体的氧分压减少。
技术领域
本发明涉及一种成膜装置及成膜方法。
背景技术
在触摸屏(touch panel)等中使用的由玻璃或者塑料树脂所形成的绝缘性基板等工件上,有时形成氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)膜等透明且具有导电性的氧化膜。成膜中使用的是在作为密闭容器的腔室内配置包含成膜材料的靶材的成膜装置。向腔室内导入含氧的溅镀气体,对靶材施加直流电压而使溅镀气体等离子体化从而生成离子,使该离子碰撞到靶材。通过将从靶材击出的材料的粒子堆积于工件上而进行成膜。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开昭58-94703号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
成膜处理时,成膜材料不仅附着在工件上,还附着在腔室的内壁。如果重复成膜处理,则附着量会增多。从附着在腔室的内壁的成膜材料中释放逸气。逸气中含氧,该氧也因等离子体而离子化。因此,如果重复成膜处理则氧量会增加。成膜处理中如果不将氧量保持为适当量,则成膜的ITO膜中,会产生电阻值增加的问题。即,产品的品质不固定,进而存在产生次品的可能性。
已知如果腔室内的氧增加,则成膜速度会降低。例如,专利文献1中提出如下技术,即,在腔室内部设置对成膜速度进行测定的测定件,根据成膜速度的降低而对导入到腔室的氧量进行调整。然而,关于成膜速度降低,是在已存在于腔室内的氧的总量超过了适当量的状态下进行成膜的阶段,该阶段下即便对导入到腔室的氧量进行调整,也无法否定品质发生不均或产生次品的可能性。
本发明解决所述课题,目的在于提供一种即便连续进行成膜处理,也可制造出品质良好且品质的不均少的产品的可靠性高的成膜装置及成膜方法。
[解决问题的技术手段]
为了达成所述目的,本发明的成膜装置对工件使用等离子体进行成膜,包括:密闭容器,配置着包含成膜材料的靶材,内部被搬入所述工件;排气装置,在所述工件的搬入后,将所述密闭容器排气规定时间而成为基础压力;以及溅镀气体导入部,对排气成所述基础压力的所述密闭容器的内部,导入含氧的溅镀气体,所述溅镀气体导入部根据附着在所述密闭容器内部的所述成膜材料的增加所引起的所述基础压力的上升,使导入到所述密闭容器的所述溅镀气体的氧分压减少。
成膜装置也可包括:压力计,对所述基础压力进行测量;以及控制装置,根据由所述压力计测定出的所述基础压力,来决定所述溅镀气体导入部导入的所述溅镀气体的氧分压。
成膜装置也可包括:电源装置,对所述靶材施加电压;以及控制装置,根据基于从所述电源装置供给到所述靶材的电力的累计量而决定的所述基础压力,来决定所述溅镀气体导入部导入的所述溅镀气体的氧分压。
成膜装置也可还包括警报生成部,所述警报生成部在所述基础压力超过6×10-3[Pa]时生成警报。
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