[发明专利]成膜装置及成膜方法有效
| 申请号: | 201710148173.1 | 申请日: | 2017-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN107201503B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
| 发明(设计)人: | 小野大祐 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置株式会社 |
| 主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址: | 日本神奈川县横*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装置 方法 | ||
1.一种成膜装置,对工件使用等离子体进行成膜,其特征在于,包括:
密闭容器,配置着包含成膜材料的靶材,内部被搬入所述工件;
排气装置,在所述工件的搬入后,将所述密闭容器排气规定时间;
溅镀气体导入部,对经所述排气的所述密闭容器的内部,导入含氧的溅镀气体;
压力计,对基础压力进行测量,所述基础压力为经排气所述规定时间后且导入所述溅镀气体之前的所述密闭容器内的压力;以及
控制装置,控制所述溅镀气体导入部,
所述控制装置包括存储部以及氧分压决定部,其中所述存储部存储最佳氧分压的数据,所述最佳氧分压的数据为所述溅镀气体中的氧分压的最佳值;所述氧分压决定部获取由所述压力计测定出的所述基础压力,参照所述最佳氧分压的数据,而决定所述溅镀气体的氧分压的值,
所述控制装置根据所述基础压力的上升,以使所述氧分压的值逐渐减少的方式,来控制所述溅镀气体导入部,其中所述基础压力的上升是随着通过重复所述成膜使附着在所述密闭容器内部的所述成膜材料增加而造成。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,包括:
电源装置,对所述靶材施加电压;
所述控制装置根据基于从所述电源装置供给到所述靶材的电力的累计量而决定的所述基础压力,来决定所述溅镀气体导入部导入的所述溅镀气体的氧分压的值。
3.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,还包括警报生成部,所述警报生成部在所述基础压力超过6×10-3Pa时生成警报。
4.一种成膜方法,对工件使用等离子体进行成膜,其特征在于:
向配置着包含成膜材料的靶材的密闭容器的内部搬入所述工件;
在所述工件的搬入后,将所述密闭容器排气规定时间;
对经所述排气的所述密闭容器的内部导入含氧的溅镀气体,
其中通过压力计测量基础压力,所述基础压力为经排气所述规定时间后且导入所述溅镀气体前的压力;以及
控制装置预先存储最佳氧分压的数据,获取由所述压力计测定出的所述基础压力,参照所述最佳氧分压的数据,来决定所述溅镀气体的氧分压的值,而导入所述溅镀气体,其中所述最佳氧分压的数据为所述溅镀气体中的氧分压的最佳值,并且
所述控制装置根据所述基础压力的上升,以使所述氧分压的值逐渐减少的方式,来控制所述溅镀气体的导入,其中所述基础压力的上升是随着通过重复所述成膜使附着在所述密闭容器内部的所述成膜材料增加而造成。
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