[发明专利]半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710146018.6 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN106935601B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 孙建明;黄睿;吴慧利 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;李峥 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括：衬底，形成在所述衬底上的薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管相邻的第一光检测结构，其中，所述第一光检测结构包括第一底电极、第一顶电极和设置在所述第一底电极和第一顶电极之间的第一光敏部，所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的一者与所述第一光检测结构的所述第一底电极同层设置；所述薄膜晶体管的所述源极电极和所述漏极电极中的另一者被用作所述第一顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，形成在所述衬底上的薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管相邻的第一光检测结构，其中，所述第一光检测结构包括第一底电极、第一顶电极和设置在所述第一底电极和第一顶电极之间的第一光敏部，所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的一者与所述第一光检测结构的所述第一底电极同层设置；所述薄膜晶体管的所述源极电极和所述漏极电极中的另一者被用作所述第一顶电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710146018.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阵列基板及其制备方法、显示面板
- 下一篇：固态成像装置和电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
