[发明专利]一种锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710142796.8 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN106917128B 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 孙治荣;麻晓越;王雪云 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C23F1/26;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种锡‑钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法,属于光电催化领域。本发明将锡酸钠(Na2SnO3·3H2O)、钼酸钠(Na2MoO4·H2O)和氟化铵(NH4F)溶解于乙二醇‑水混合溶液中,以钛片为阳极,铂片为阴极,采用两电极体系在钛片表面制备含Sn和Mo的二氧化钛纳米管阵列。在清洗干燥后,放置于马弗炉中高温煅烧制成Sn、Mo共掺杂的二氧化钛纳米管阵列电极(Sn‑Mo‑TiO2‑NTs/Ti)。掺杂后的电极提高了TiO2对可见光的响应能力,实现了在可见光下的光电催化氧化能力。
搜索关键词: 一种 掺杂 氧化 纳米 阵列 电极 制备 方法
【主权项】:
1.一种锡‑钼(Sn‑Mo)共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极制备方法,其特征在于,按照下述步骤进行:(1)将Ti片用砂纸打磨至表面光滑后依次浸入丙酮、异丙醇和无水乙醇溶液中分别超声处理,去除Ti片表面的氧化物和油,然后用去离子水冲洗干净,氮气吹干备用;(2)将NH4F溶解于去离子水、浓硝酸、氢氟酸的混合溶液中,制得刻蚀液,将(1)中制备的Ti片置于刻蚀液中刻蚀30s,然后用去离子水冲洗干净,氮气吹干备用;(3)将适量Na2SnO3·3H2O、Na2MoO4·H2O和NH4F溶解于乙二醇‑水混合溶液中,搅拌混合均匀制备成电解质溶液;(4)将(2)中刻蚀后的Ti片作为阳极,将Pt片作为阴极,置于(3)中制备的电解质溶液中进行阳极氧化;在20℃水浴条件下,20V~60V电压下,阳极氧化0.5h~6h;(5)将(4)中阳极氧化后的Ti片依次用无水乙醇和去离子水清洗干净后,放置于恒温鼓风干燥箱中干燥,干燥后取出冷却至室温,然后置于马弗炉中,以2℃/min的速率升温至450℃~600℃,煅烧2h,冷却至室温后,用去离子水清洗,室温干燥,得到Sn‑Mo‑TiO2‑NTs/Ti电极;步骤(3)乙二醇、水的体积比为24:1;步骤(3)电解质溶液中Sn和Mo的摩尔浓度分别为0.01mol/L~0.1mol/L和0.01mol/L~0.1mol/L;步骤(3)电解质溶液中NH4F质量分数为0.25wt%~0.5wt%。
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